| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 250001 | BC32840BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250002 | BC32840TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250003 | BC328A | Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250004 | BC328BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250005 | BC328TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250006 | BC328TAR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250007 | BC328TF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250008 | BC328TFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250009 | BC337 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 250010 | BC337 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 250011 | BC337 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 250012 | BC337 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | Vishay |
| 250013 | BC337 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 250014 | BC337 | Transistor del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 250015 | BC337 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 250016 | BC337 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 250017 | BC337 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 250018 | BC337 | Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250019 | BC337 | Transistor Del Amplificador | Motorola |
| 250020 | BC337 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250021 | BC337 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 250022 | BC337 | Transistor planar epitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 250023 | BC337 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-630 hFE | Continental Device India Limited |
| 250024 | BC337 | Transistor. Conmutación y aplicaciones ampplifier. Adecuado para stagees AF-conductor y etapas de potencia de salida. Colector-base VCBO = 50V. Colector-emisor VCEO = 45V. Emisor-base Vebo = 5V. Colector disipación Pc = 625MW. Curren Col | USHA India LTD |
| 250025 | BC337-016 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250026 | BC337-025 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250027 | BC337-040 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250028 | BC337-16 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 250029 | BC337-16 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250030 | BC337-16 | Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250031 | BC337-16 | Transistor Del Amplificador | Motorola |
| 250032 | BC337-16 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250033 | BC337-16 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 250034 | BC337-16 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 250035 | BC337-16 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-250 hFE | Continental Device India Limited |
| 250036 | BC337-16 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250037 | BC337-16RL1 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250038 | BC337-16ZL1 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250039 | BC337-25 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 250040 | BC337-25 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| | | |
