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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
249801BC307-DSilicio De los Transistores PNP Del AmplificadorON Semiconductor
249802BC307ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249803BC307ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249804BC307APropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249805BC307ABUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249806BC307ATATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249807BC307BTransistores de los fines generales de PNPPhilips
249808BC307BAmplificador Transistors(PNP)Motorola
249809BC307BTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249810BC307BSilicio PNP Del TransistorON Semiconductor
249811BC307BPropósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249812BC307BBUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249813BC307BRL1Silicio PNP Del TransistorON Semiconductor
249814BC307BTATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249815BC307BTFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249816BC307BTFRTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249817BC307BUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249818BC307BZL1Silicio PNP Del TransistorON Semiconductor
249819BC307CAmplificador Transistors(PNP)Motorola



249820BC307CPlástico PNP Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
249821BC307CPropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFEContinental Device India Limited
249822BC307CBUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249823BC307CZL1Amplificador de transistor PNPON Semiconductor
249824BC308Usos de la conmutación y del amplificadorFairchild Semiconductor
249825BC308Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
249826BC308Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249827BC308TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249828BC308Propósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249829BC308Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1USHA India LTD
249830BC308ATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249831BC308APropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249832BC308ABUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249833BC308ATATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249834BC308ATFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249835BC308ATFRTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249836BC308BTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249837BC308BTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249838BC308BPropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249839BC308BBUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249840BC308BTATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
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