| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1058401 | RN2967FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058402 | RN2968 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058403 | RN2968FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058404 | RN2968FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058405 | RN2969 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058406 | RN2969FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058407 | RN2969FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058408 | RN2970 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058409 | RN2970FE | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058410 | RN2970FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058411 | RN2971 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058412 | RN2971FE | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058413 | RN2971FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058414 | RN2972FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058415 | RN2973FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058416 | RN2975 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058417 | RN3Z | Diodes De Redresseur D'Ultra-Rapide-Rétablissement | Sanken |
| 1058418 | RN4601 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058419 | RN4602 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058420 | RN4603 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058421 | RN4604 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058422 | RN4605 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058423 | RN4606 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058424 | RN4607 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058425 | RN4608 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058426 | RN4609 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Transistor PNP (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058427 | RN4610 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) (PROCESSUS DE PCT), DE CIRCUIT D'CInverseur, DE CIRCUIT D'CInterface ET DE CIRCUIT DE CONDUCTEUR. | TOSHIBA |
| 1058428 | RN4611 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058429 | RN4612 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058430 | RN46A1 | Silicium PNP De Transistor·Applications épitaxiales de commutation de type de NPN (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058431 | RN47A1 | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058432 | RN47A1JE | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058433 | RN47A2 | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058434 | RN47A2JE | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058435 | RN47A3 | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058436 | RN47A3JE | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058437 | RN47A4 | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058438 | RN47A4JE | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058439 | RN47A5 | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058440 | RN47A5JE | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
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