| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1069361 | S24C01A | PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS EEPROM DE CMOS | Seiko Instruments Inc |
| 1069362 | S24H30 | des 8-mots X de publication périodique RAM VOLATILE de 8 bits NON - | Seiko Instruments Inc |
| 1069363 | S25 | Redresseurs De Schottky | Fairchild Semiconductor |
| 1069364 | S25 | Redresseur De Puissance De Silicium | Microsemi |
| 1069365 | S250 | Redresseurs Extérieurs De Silicium-Pont De Bâti | Diotec Elektronische |
| 1069366 | S250-50 | 250 W, 50 V, 1,5 à 30 MHz, le silicium NPN transistor de puissance RF | Acrian |
| 1069367 | S250-50-2 | 250 W, 50 V, 1,5 à 30 MHz, le silicium NPN transistor de puissance RF | Acrian |
| 1069368 | S250-50-3 | 250 W, 50 V, 1,5 à 30 MHz, le silicium NPN transistor de puissance RF | Acrian |
| 1069369 | S25100 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069370 | S25120 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069371 | S25140 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069372 | S2514BH | 200V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069373 | S2514DH | 400V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069374 | S2514MH | 600V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069375 | S2514NH | 800V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069376 | S25160 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069377 | S2516BH | 200V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069378 | S2516DH | 400V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069379 | S2516MH | Thyristor | ST Microelectronics |
| 1069380 | S2516MH | 600V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069381 | S2516NH | 800V usage général RCS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069382 | S25180 | Redresseur De Puissance De Silicium | Microsemi |
| 1069383 | S2520 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069384 | S2540 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069385 | S2560 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069386 | S2560G | Impulsion Dlaler | AMI Semiconductor |
| 1069387 | S2580 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
| 1069388 | S25D30 | BARRIÈRE DE SCHOTTKY RECTIFIERS(2ä, 30-60v) | MOSPEC Semiconductor |
| 1069389 | S25D40 | BARRIÈRE DE SCHOTTKY RECTIFIERS(2ä, 30-60v) | MOSPEC Semiconductor |
| 1069390 | S25D50 | BARRIÈRE DE SCHOTTKY RECTIFIERS(2ä, 30-60v) | MOSPEC Semiconductor |
| 1069391 | S25D60 | BARRIÈRE DE SCHOTTKY RECTIFIERS(2ä, 30-60v) | MOSPEC Semiconductor |
| 1069392 | S25SC6M | Robinet Des Redresseurs (SBD)/Centre De Schottky, Cathode Commune (Type De Trois Bornes) | Shindengen |
| 1069393 | S25VB100 | 1000 V, 25 A, pont redresseur | Leshan Radio Company |
| 1069394 | S25VB20 | Ponts Tout usage Des Redresseurs/SQIP | Shindengen |
| 1069395 | S25VB60 | Ponts Tout usage Des Redresseurs/SQIP | Shindengen |
| 1069396 | S25XXXH | Thyristor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1069397 | S25XXXH | Thyristor | ST Microelectronics |
| 1069398 | S26 | Redresseurs De Schottky | Fairchild Semiconductor |
| 1069399 | S2600B | Haute tension, redresseur commandé au silicium moyen actuel. VDRM 200V. | General Electric Solid State |
| 1069400 | S2600D | Haute tension, redresseur commandé au silicium moyen actuel. VDRM 400V. | General Electric Solid State |
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