Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1085401 | SDM20U40 | Diodes De Schottky | Diodes |
1085402 | SDM20U40-7 | SURFACE MOUNT Barrière de Schottky Diode | Diodes |
1085403 | SDM2U20CSP | Discrets - redresseurs (0.5A et plus) - Schottky / SBR redresseurs | Diodes |
1085404 | SDM2U30CSP | Discrets - redresseurs (0.5A et plus) - Schottky / SBR redresseurs | Diodes |
1085405 | SDM2U30CSP-7 | Discrets - redresseurs (0.5A et plus) - Schottky / SBR redresseurs | Diodes |
1085406 | SDM300 | Redresseur De Puissance De Silicium | Microsemi |
1085407 | SDM30002 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085408 | SDM30004 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085409 | SDM30006 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085410 | SDM30008 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085411 | SDM30010 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085412 | SDM30012 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085413 | SDM30014 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085414 | SDM30016 | Redresseur standard (trr plus que 500ns) | Microsemi |
1085415 | SDM40E20LA | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
1085416 | SDM40E20LA-7 | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
1085417 | SDM40E20LC | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
1085418 | SDM40E20LC-7 | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
1085419 | SDM40E20LS | Diodes De Schottky | Diodes |
1085420 | SDM40E20LS-7 | DIODE DE BARRIÈRE EXTÉRIEURE DUELLE DE SCHOTTKY DE BÂTI | Diodes |
1085421 | SDM40E20LS-7-F | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
1085422 | SDM4410 | 30V; 10A; À canal N en mode enchanced transistor à effet de champ | SamHop Microelectronics Corp. |
1085423 | SDM4800 | 30V; 9A; À canal N en mode enchanced transistor à effet de champ | SamHop Microelectronics Corp. |
1085424 | SDM4952 | P duel - Acheminez le transistor de ffect de l'ield E du mode F de nhancement de E | SamHop Microelectronics Corp. |
1085425 | SDM4953 | -30V; -4.9A; Transistor à effet de champ de mode enchanced à canal P double | SamHop Microelectronics Corp. |
1085426 | SDM6912 | 30V; 7A; dual P-channel enchancement mode effect transistor | SamHop Microelectronics Corp. |
1085427 | SDM6CC | SIX élément commun - CATHODE SCHOTTKY TABLEAU | Diodes |
1085428 | SDM6CC-7 | SIX élément commun - CATHODE SCHOTTKY TABLEAU | Diodes |
1085429 | SDM8401 | 30V; 6A; 2,0 W; double transistor à effet de champ de mode enchanced (N et P - canal) | SamHop Microelectronics Corp. |
1085430 | SDM862 | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085431 | SDM862, SDM863, SDM872, SDM873 | PRODUIT DISCONTINUÉ. Plus non recommandé pour la nouvelle conception. | Burr Brown |
1085432 | SDM862A | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085433 | SDM862B | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085434 | SDM862J | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085435 | SDM862K | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085436 | SDM862R | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085437 | SDM862S | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085438 | SDM863 | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085439 | SDM863A | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
1085440 | SDM863B | 16 Ended/8 SYSTÈMES d'cAcquisition de DONNÉES Différentiels Simples De l'Entrée 12-bit | Burr Brown |
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