| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1162841 | STB6N65M2 | N-canal 650 V, 1,2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162842 | STB6N80K5 | N-canal 800 V, 1,3 Ohm typ., 4,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162843 | STB6NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1162844 | STB6NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162845 | STB6NA60 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162846 | STB6NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1162847 | STB6NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162848 | STB6NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162849 | STB6NB50 | Transistor MOSFET du MODE POWERMESH de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
| 1162850 | STB6NB50 | N - la MANCHE 500V - 1,35 Ohms - 5.Å - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162851 | STB6NB50T4 | Transistor MOSFET du MODE POWERMESH de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
| 1162852 | STB6NB90 | N - la MANCHE 900V - 1,7 Ohms - 5.Å - Transistor MOSFET De D 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162853 | STB6NB90 | Transistor MOSFET De Puissance De N-canal | ST Microelectronics |
| 1162854 | STB6NC60 | N-canal 600V 1,0 OHMS - Ã - Transistor MOSFET de la MAILLE II de PUISSANCE De To-220/to220fp/i2pak | ST Microelectronics |
| 1162855 | STB6NC60-1 | N-canal 600V 1,0 OHMS - Ã - Transistor MOSFET de la MAILLE II de PUISSANCE De To-220/to220fp/i2pak | ST Microelectronics |
| 1162856 | STB6NC60-1 | N-canal 600V 1,0 OHMS - Ã - Transistor MOSFET de la MAILLE II de PUISSANCE De To-220/to220fp/i2pak | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162857 | STB6NC60T4 | N-canal 600V 1,0 OHMS - Ã - Transistor MOSFET de la MAILLE II de PUISSANCE De To-220/to220fp/i2pak | ST Microelectronics |
| 1162858 | STB6NC80 | N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/FP/D.?K/I.?K De 5.4A PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162859 | STB6NC80 | N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/FP/D.?K/I.?K De 5.4A PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162860 | STB6NC80Z | Le N-canal 800V 1.öhm 5. To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162861 | STB6NC80Z-1 | Le N-canal 800V 1.öhm 5. To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162862 | STB6NC80Z-1 | Le N-canal 800V 1.öhm 5. To-220/to-220fp/i2pak/Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162863 | STB6NC80ZT4 | Le N-canal 800V 1.öhm 5. To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162864 | STB6NC90Z | Le N-canal 900V - 1,55 OHMS - 5. To-220/fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162865 | STB6NC90Z-1 | Le N-canal 900V - 1,55 OHMS - 5. To-220/fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162866 | STB6NC90Z-1 | l'cOhm 5. To-220/to-200fp/i2pak Du N-canal 900V 1,55 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162867 | STB6NK60Z | l'cOhm à To-220/to-220fp/d2pak/i2pak Du N-canal 600V 1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162868 | STB6NK60Z | l'cOhm à To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 600V 1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162869 | STB6NK60Z-1 | l'cOhm à To-220/to-220fp/d2pak/i2pak Du N-canal 600V 1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162870 | STB6NK60ZT4 | l'cOhm à To-220/to-220fp/d2pak/i2pak Du N-canal 600V 1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162871 | STB6NK90Z | l'cOhm 5.Å To-220/to-220fp D2PAK Du N-canal 900V 1,75 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162872 | STB6NK90ZT4 | Le N-canal 900V - 1.56W - 5.Å To-220/fp/d2pak/to-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162873 | STB7001 | 900 NIVEAU LNA DE GAIN DE MÉGAHERTZ TROIS | ST Microelectronics |
| 1162874 | STB7001 | 900 NIVEAU LNA DE GAIN DE MÉGAHERTZ TROIS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162875 | STB7002 | 1,8 NIVEAU LNA DE GAIN DE GIGAHERTZ TROIS | ST Microelectronics |
| 1162876 | STB7002 | 1,8 NIVEAU LNA DE GAIN DE GIGAHERTZ TROIS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162877 | STB7002TR | 1,8 NIVEAU LNA DE GAIN DE GIGAHERTZ TROIS | ST Microelectronics |
| 1162878 | STB7002TR | 1,8 GHZ TROIS GAIN LNA LEVEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162879 | STB7003 | Tri-bande GSM/dcs/pcs LNA | ST Microelectronics |
| 1162880 | STB7003 | Tri-bande GSM/dcs/pcs LNA | SGS Thomson Microelectronics |
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