| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1183681 | T14M1024A | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183682 | T14M1024A-10H | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183683 | T14M1024A-10J | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183684 | T14M1024A-10P | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183685 | T14M256A | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183686 | T14M256A-8J | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183687 | T14M256A-8J | 8ns; -0,5 À 7,0 V; 1.0W; 50mA; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statique | TM Technology |
| 1183688 | T14M256A-8P | RAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183689 | T14M256A-8P | 8ns; -0,5 À 7,0 V; 1.0W; 50mA; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statique | TM Technology |
| 1183690 | T1500N | THYRISTORS DE COMMANDE DE PHASE | etc |
| 1183691 | T1509N | THYRISTORS DE COMMANDE DE PHASE | etc |
| 1183692 | T150_04 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 400V, 500V = Vrsm. | USHA India LTD |
| 1183693 | T150_06 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 600V, 700V = Vrsm. | USHA India LTD |
| 1183694 | T150_08 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 800V, 900V = Vrsm. | USHA India LTD |
| 1183695 | T150_10 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 1000V, Vrsm = 1100V. | USHA India LTD |
| 1183696 | T150_12 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 1200V, Vrsm = 1300V. | USHA India LTD |
| 1183697 | T150_14 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 1400V, Vrsm = 1500V. | USHA India LTD |
| 1183698 | T150_16 | Thyristors. DC commande de moteur, redresseurs contrôlés, les contrôleurs AC. Vrrm = 1600V, Vrsm = 1700V. | USHA India LTD |
| 1183699 | T1589N | THYRISTORS DE COMMANDE DE PHASE | etc |
| 1183700 | T15L256A | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183701 | T15L256A-35J | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183702 | T15L256A-35J | 35ns; -0,5 À 4.6V; 0.5W; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statique | TM Technology |
| 1183703 | T15L256A-70D | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183704 | T15L256A-70D | 70ns; -0,5 À 4.6V; 0.5W; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statique | TM Technology |
| 1183705 | T15L256A-70P | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 32K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183706 | T15L256A-70P | 70ns; -0,5 À 4.6V; 0.5W; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statique | TM Technology |
| 1183707 | T15M1024A | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183708 | T15M1024A-100DI | -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS à faible puissance RAM statique | TM Technology |
| 1183709 | T15M1024A-100HI | -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS à faible puissance RAM statique | TM Technology |
| 1183710 | T15M1024A-100N | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183711 | T15M1024A-100N | -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS à faible puissance RAM statique | TM Technology |
| 1183712 | T15M1024A-100NI | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183713 | T15M1024A-100NI | -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS à faible puissance RAM statique | TM Technology |
| 1183714 | T15M1024A-100P | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183715 | T15M1024A-100P | -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS à faible puissance RAM statique | TM Technology |
| 1183716 | T15M1024A-100PI | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183717 | T15M1024A-100PI | -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS à faible puissance RAM statique | TM Technology |
| 1183718 | T15M1024A-55D | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| 1183719 | T15M1024A-55D | 70ns; -0,5 À 7V; 0.7W; 128 x 8 Low Power CMOS RAM statique | TM Technology |
| 1183720 | T15M1024A-55DI | BASSE RAM De CHARGE STATIQUE De la PUISSANCE 8 CMOS De 128K X | Taiwan Memory Technology |
| | | |
