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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1196601TC551664BJ65.536-65,536-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-BIT CMOSTOSHIBA
1196602TC551664BJ-1265.536-65,536-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-BIT CMOSTOSHIBA
1196603TC551664BJ-1265.536-65,536-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-BIT CMOSTOSHIBA
1196604TC551664BJ-1565.536-65,536-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-BIT CMOSTOSHIBA
1196605TC551664BJ-1565.536-65,536-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-BIT CMOSTOSHIBA
1196606TC5516AF2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196607TC5516AF2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196608TC5516AF-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196609TC5516AF-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196610TC5516AFL2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196611TC5516AFL2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196612TC5516AFL-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196613TC5516AFL-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196614TC5516AP2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196615TC5516AP2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196616TC5516AP-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196617TC5516AP-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196618TC5516APL2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196619TC5516APL2.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA



1196620TC5516APL-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196621TC5516APL-22.048 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
1196622TC5517Cmémoire de 2048 x 8 bits CMOSTOSHIBA
1196623TC5517CF-15150 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
1196624TC5517CF-20200 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
1196625TC5517CFL-15150 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
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1196627TC5517CP-15150 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
1196628TC5517CP-20200 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
1196629TC5517CPL-15150 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
1196630TC5517CPL-20200 ns; V (cc): -0,3 à + 7,0 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; 0.8W; 2048 x Parole x 8 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
1196631TC55257AFLPRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196632TC55257AFLPRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196633TC55257AFL-10PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196634TC55257AFL-10PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196635TC55257AFL-12PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196636TC55257AFL-12PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196637TC55257AFL-85PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196638TC55257AFL-85PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196639TC55257APLPRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196640TC55257APLPRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
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