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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1280641UNR91AVGSilicon PNP épitaxiale de type planarPanasonic
1280642UNR91AVJSilicon PNP épitaxiale de type planarPanasonic
1280643UNR9210Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280644UNR9210GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280645UNR9210JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280646UNR9211Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280647UNR9211GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280648UNR9211JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280649UNR9212Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280650UNR9212GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280651UNR9212JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280652UNR9213Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280653UNR9213GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280654UNR9213JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280655UNR9214Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280656UNR9214GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280657UNR9214JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280658UNR9215Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280659UNR9215GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic



1280660UNR9215JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280661UNR9216Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280662UNR9216GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280663UNR9216JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280664UNR9217Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280665UNR9217GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280666UNR9217JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280667UNR9218Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280668UNR9218GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280669UNR9218JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280670UNR9219Silicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280671UNR9219GSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280672UNR9219JDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280673UNR921AGSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280674UNR921AJDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280675UNR921BGSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280676UNR921BJDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280677UNR921CGSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
1280678UNR921CJDispositif composé - transistors avec la résistance intégréePanasonic
1280679UNR921DSilicon NPN transistor de rabotage épitaxiale avec résistance de biult-enPanasonic
1280680UNR921DGSilicon NPN épitaxiale de type planarPanasonic
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