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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1281561UPA622TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281562UPA622TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281563UPA622TT-E1-ATRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281564UPA622TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281565UPA622TT-E2-ATRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281566UPA650FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281567UPA650TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281568UPA650TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281569UPA650TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281570UPA651FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281571UPA651TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281572UPA651TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281573UPA651TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281574UPA652FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281575UPA652TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281576UPA652TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281577UPA652TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281578UPA653FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281579UPA653TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATIONNEC



1281580UPA653TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281581UPA653TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de P-canalNEC
1281582UPA672RANGÉE de FET de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281583UPA672TRANGÉE de FET de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281584UPA675TFET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281585UPA675T-T1FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281586UPA675T-T2FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281587UPA677TBFET de MOS de perfectionnement de N-Canal pour le commutateur de chargeNEC
1281588UPA678TBFET de MOS de perfectionnement de P-Canal pour le commutateur de chargeNEC
1281589UPA679TBFET de MOS de perfectionnement de N/P-Channel pour le commutateur de chargeNEC
1281590UPA80Rangée de transistor de siliciumNEC
1281591UPA800TTRANSISTOR ÉPITAXIAL De BAS de BRUIT À haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC MOULE d'cÉléments De la Fonction intégrée 2 Le MININEC
1281592UPA800T-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL De BAS de BRUIT À haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC MOULE d'cÉléments De la Fonction intégrée 2 Le MININEC
1281593UPA800T-T1B6 broches petite MM haute fréquence à double réseau de transistorsNEC
1281594UPA800TFTRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNNEC
1281595UPA801Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281596UPA801TLe TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281597UPA801T-T16 broches petite MM-haute fréquence transistor doubleNEC
1281598UPA801TCLe TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281599UPA801TC-T1Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281600UPA801TFSilicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
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