Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
178161 | AES1B | | Taiwan Semiconductor |
178162 | AES1C | | Taiwan Semiconductor |
178163 | AES1D | | Taiwan Semiconductor |
178164 | AES1F | | Taiwan Semiconductor |
178165 | AES1G | | Taiwan Semiconductor |
178166 | AES1H | | Taiwan Semiconductor |
178167 | AES1J | | Taiwan Semiconductor |
178168 | AEV13012 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 30A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178169 | AEV13024 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 30A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178170 | AEV15012 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 150A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178171 | AEV15024 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 150A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178172 | AEV15112 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: un contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178173 | AEV15124 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: un contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178174 | AEV15312 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: b contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178175 | AEV15324 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: b contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178176 | AEV16012 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 60A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178177 | AEV16024 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 1 forme A. contact: 60A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178178 | AEV25012 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 2 forme A. contact: 150A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178179 | AEV25024 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 2 forme A. contact: 150A. Sans contact de signalisation. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178180 | AEV25112 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 2 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: un contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178181 | AEV25124 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 2 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: un contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178182 | AEV25312 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 12 V DC. Contactez arrangement: 2 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: b contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178183 | AEV25324 | EV-relais. Courant d'alimentation DC Compact mais couper, puissance capsule contacts relais. Tension de la bobine 24 V DC. Contactez arrangement: 2 forme A. contact: 150A. Indicateur de contact arrangement: b contact. | Matsushita Electric Works(Nais) |
178184 | AF002C1-32 | FET de commande de GaAs MMIC dans gigahertz Dc-2.5 de SOT 143 | Alpha Industries Inc |
178185 | AF002C1-39 | Gigahertz De la Série Dc-2.5 de FET De Commande d'cIc De GaAs | Skyworks Solutions |
178186 | AF002C1-39 | Gigahertz De la Série Dc-2.5 de FET De Commande d'cIc De GaAs | Alpha Industries Inc |
178187 | AF002C4-32 | GaAs FET de commande | Alpha Industries Inc |
178188 | AF002C4-39 | Gigahertz De la Série Dc-2.5 de FET De Commande d'cIc De GaAs | Skyworks Solutions |
178189 | AF002C4-39 | Gigahertz De la Série Dc-2.5 de FET De Commande d'cIc De GaAs | Alpha Industries Inc |
178190 | AF002N2-32 | Gigahertz de la commande Dc-2 d'atténuateur variable de tension de DB de l'cIc 15 de GaAs seul | Alpha Industries Inc |
178191 | AF002N2-32 | Gigahertz de la commande Dc-2 d'atténuateur variable de tension de DB de l'cIc 15 de GaAs seul | Skyworks Solutions |
178192 | AF100-1CG | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178193 | AF100-1CJ | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178194 | AF100-1CN | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178195 | AF100-1G | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178196 | AF100-2CG | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178197 | AF100-2CJ | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178198 | AF100-2CN | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178199 | AF100-2G | +/- 18 V, 900 mW, filtre actif universel | National Semiconductor |
178200 | AF106 | TRANSISTOR DU GERMANIUM RF DE PNP | Siemens |
| | | |