| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 255881 | BD137 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255882 | BD137 | Mocy de du¿ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 255883 | BD137 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 255884 | BD137 | Transistors de puissance de NPN | Philips |
| 255885 | BD137 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | Motorola |
| 255886 | BD137 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 255887 | BD137 | Puissance 1.Ä 60V NPN | ON Semiconductor |
| 255888 | BD137 | 12.500W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD138 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255889 | BD137 | HFE min 40 transistor NPN polarité Courant, Ic continu max 1 A Tension VCEO 60 V Courant, Ic (HFE) 0,15 A Puissance 12,5 W Ptot de puissance de température de 25? C nombre de transistors 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 255890 | BD137-10 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 255891 | BD137-10 | Transistors de puissance de NPN | Philips |
| 255892 | BD137-10 | 12.500W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD138-10 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255893 | BD137-16 | Transistors de puissance de NPN | Philips |
| 255894 | BD137-16 | 12.500W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD138-16 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255895 | BD137-25 | 12.500W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD138-25 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255896 | BD137-6 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 255897 | BD137-6 | 12.500W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complémentaire BD138-6 | Continental Device India Limited |
| 255898 | BD13710S | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255899 | BD13710STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255900 | BD13716S | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255901 | BD13716STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255902 | BD1376S | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255903 | BD1376STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255904 | BD138 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255905 | BD138 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | ST Microelectronics |
| 255906 | BD138 | Mocy de du¿ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 255907 | BD138 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255908 | BD138 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255909 | BD138 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 255910 | BD138 | Transistors de puissance de PNP | Philips |
| 255911 | BD138 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De Puissance | Motorola |
| 255912 | BD138 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 255913 | BD138 | Puissance 1.Ä 60V PNP | ON Semiconductor |
| 255914 | BD138 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD137 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255915 | BD138-10 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 255916 | BD138-10 | Transistors de puissance de PNP | Philips |
| 255917 | BD138-10 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD137-10 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255918 | BD138-16 | Transistors de puissance de PNP | Philips |
| 255919 | BD138-16 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD137-16 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255920 | BD138-25 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD137-25 complémentaire | Continental Device India Limited |
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