|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6433 | 6434 | 6435 | 6436 | 6437 | 6438 | 6439 | 6440 | 6441 | 6442 | 6443 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
257481BD536JTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
257482BD537Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
257483BD537TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
257484BD537TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257485BD537TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257486BD53750.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
257487BD537Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 80V, 50W.General Electric Solid State
257488BD537transistor de puissance NPN plastique complémentaire de silicium. 80 V, 4 A, 50 W.Motorola
257489BD537JTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
257490BD538Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
257491BD538TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
257492BD538TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257493BD538TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257494BD53850.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
257495BD538Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -80V, 50W.General Electric Solid State
257496BD538transistor de puissance PNP plastique complémentaire de silicium. 80 V, 4 A, 50 W.Motorola
257497BD538JTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
257498BD538KTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor



257499BD538KTUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
257500BD539TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257501BD539ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257502BD539BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257503BD539CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257504BD539DTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257505BD53XXFVEIC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257506BD53XXFVEIC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257507BD53XXGIC DE DÉTECTEUR DE TENSIONROHM
257508BD540TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
257509BD540ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
257510BD540BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
257511BD540CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
257512BD543TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257513BD543ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257514BD543BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257515BD543CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
257516BD544TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
257517BD544TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPTRSYS
257518BD54440 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
257519BD544ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
257520BD544ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPTRSYS
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6433 | 6434 | 6435 | 6436 | 6437 | 6438 | 6439 | 6440 | 6441 | 6442 | 6443 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com