| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 258121 | BDP496 | Mocy de du¿ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258122 | BDP947 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 258123 | BDP947 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258124 | BDP948 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 258125 | BDP948 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258126 | BDP949 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 258127 | BDP949 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258128 | BDP950 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 258129 | BDP950 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258130 | BDP951 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 258131 | BDP951 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258132 | BDP952 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 258133 | BDP952 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258134 | BDP953 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 258135 | BDP953 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258136 | BDP954 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 258137 | BDP954 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258138 | BDP955 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 258139 | BDP955 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258140 | BDP956 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 258141 | BDP956 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 258142 | BDS10 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258143 | BDS10IG | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUET EN MÉTAL TO257 | SemeLAB |
| 258144 | BDS10SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258145 | BDS11 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258146 | BDS11IG | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUET EN MÉTAL TO257 | SemeLAB |
| 258147 | BDS11SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258148 | BDS12 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258149 | BDS12IG | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUET EN MÉTAL TO257 | SemeLAB |
| 258150 | BDS12SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258151 | BDS13 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM PNP EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258152 | BDS13SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM PNP EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258153 | BDS14 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM PNP EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258154 | BDS14SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM PNP EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258155 | BDS15 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM PNP EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258156 | BDS15SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM PNP EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258157 | BDS16 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258158 | BDS16SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258159 | BDS17 | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
| 258160 | BDS17SMD | BASE ÉPITAXIALE DU SILICIUM NPN EN PAQUETS EXTÉRIEURS EN CÉRAMIQUE EN MÉTAL TO220 ET DE BÂTI SMD1 | SemeLAB |
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