| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 259761 | BFN38 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT223 NPN | Infineon |
| 259762 | BFN38 | Transistor à haute tension f de silicium de NPN... | Infineon |
| 259763 | BFN38 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 259764 | BFN39 | TRANSISTOR À HAUTE TENSION PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT223 PNP | Zetex Semiconductors |
| 259765 | BFN39 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT223 PNP | Infineon |
| 259766 | BFN39 | Transistor à haute tension f de silicium de PNP... | Infineon |
| 259767 | BFP 181R | Transistors Rf-Bipolaires de type de NPN avec la fréquence de transition de 8 gigahertz | Infineon |
| 259768 | BFP 620 | SiGe70 Transistors Rf-Bipolaires De Type De Gigahertz NPN | Infineon |
| 259769 | BFP 620F | SiGe70 Transistors Rf-Bipolaires De Type De Gigahertz NPN | Infineon |
| 259770 | BFP 640F | Transistors Rf-Bipolaires de SiGe NPN dans SOT343 standard et flatlead Tsfp-4 | Infineon |
| 259771 | BFP136 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Infineon |
| 259772 | BFP136 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN) | Siemens |
| 259773 | BFP136W | Rf-Bipolaire - pour l'amplificateur de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN | Infineon |
| 259774 | BFP136W | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN) | Siemens |
| 259775 | BFP177 | Mocy krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 259776 | BFP178 | Mocy krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 259777 | BFP179 | Mocy krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 259778 | BFP180 | Transistor du silicium rf de NPN pour le bas prisonnier de guerre... | Infineon |
| 259779 | BFP180 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de basse puissance dans le pagineur mobile de systèmes de communication aux courants de collecteur de 0,2 à 2.5mA) | Siemens |
| 259780 | BFP180W | Transistor du silicium rf de NPN pour le bas prisonnier de guerre... | Infineon |
| 259781 | BFP180W | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de basse puissance dans le pagineur mobile de systèmes de communication aux courants de collecteur de 0,2 à 2.5mA) | Siemens |
| 259782 | BFP181 | Rf-Bipolaire - pour les amplificateurs à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 0,5 mA à 12 mA | Infineon |
| 259783 | BFP181 | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 259784 | BFP181R | Rf-Bipolaire - pour les amplificateurs à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 0,5 mA à 12 mA | Infineon |
| 259785 | BFP181R | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 259786 | BFP181T | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 259787 | BFP181TRW | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 259788 | BFP181TW | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 259789 | BFP181W | Transistor du silicium rf de NPN pour le bas NOI... | Infineon |
| 259790 | BFP181W | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 259791 | BFP182 | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA | Infineon |
| 259792 | BFP182 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 259793 | BFP182R | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA | Infineon |
| 259794 | BFP182R | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 259795 | BFP182T | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 259796 | BFP182TRW | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 259797 | BFP182TW | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 259798 | BFP182W | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA | Infineon |
| 259799 | BFP182W | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 259800 | BFP183 | Rf-Bipolaire - pour les amplificateurs à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 2 mA à 30 mA | Infineon |
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