| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 35361 | 1SS223-T1B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 35362 | 1SS223-T2B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 35363 | 1SS226 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35364 | 1SS244 | > de diodes; > De Diodes De Commutation; Type plombé | ROHM |
| 35365 | 1SS250 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35366 | 1SS265 | 35 V, la diode de commutation de bande | Leshan Radio Company |
| 35367 | 1SS268 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 35368 | 1SS269 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 35369 | 1SS270 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 35370 | 1SS270 | DIODES DE COMMUTATION | Leshan Radio Company |
| 35371 | 1SS270 | Diodes>Switching | Renesas |
| 35372 | 1SS270A | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 35373 | 1SS270A | Diodes>Switching | Renesas |
| 35374 | 1SS271 | APPLICATION ÉPITAXIALE DE MÉLANGEUR DU TYPE VHF~uhf DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE SILICIUM DE DIODE | TOSHIBA |
| 35375 | 1SS272 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35376 | 1SS286 | Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeur | Hitachi Semiconductor |
| 35377 | 1SS286 | Diodes>Switching | Renesas |
| 35378 | 1SS293 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottoky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35379 | 1SS294 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottoky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35380 | 1SS295 | APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute DE MÉLANGEUR DE BANDE DE SCHOTTKY DE SILICIUM DE DIODE DE TYPE ÉPITAXIAL DE BARRIÈRE | TOSHIBA |
| 35381 | 1SS300 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35382 | 1SS301 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35383 | 1SS302 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35384 | 1SS303 | Diode de commutation | NEC |
| 35385 | 1SS303-T1 | Diode de commutation | NEC |
| 35386 | 1SS303-T2 | Diode de commutation | NEC |
| 35387 | 1SS304 | Diode de commutation | NEC |
| 35388 | 1SS304-T1 | Diode de commutation | NEC |
| 35389 | 1SS304-T2 | Diode de commutation | NEC |
| 35390 | 1SS305 | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 35391 | 1SS305-T1 | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 35392 | 1SS305-T2 | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 35393 | 1SS306 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
| 35394 | 1SS307 | Le Général Planaire Épitaxial Puropose Rectifier Applications De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35395 | 1SS308 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35396 | 1SS309 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35397 | 1SS311 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
| 35398 | 1SS312 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 35399 | 1SS313 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 35400 | 1SS314 | Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
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