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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
354481D2031UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354482D2053UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354483D2054UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354484D208Numéros De Type Précédents De VectronVectron
354485D2081UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354486D2082TetraFET 40W - 28V - 1.0GHzSemeLAB
354487D2082UKTetraFET 40W - 28V - 1.0GHzSemeLAB
354488D2083UKTetraFET 80W - 28V - 1.0GHzSemeLAB
354489D2084UKTetraFET 100W - 28V - 900MHzSemeLAB
354490D2085UKTetraFET 120W - 28V - 0.8GHzSemeLAB
354491D2089FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354492D2089UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354493D20ABoîtier À double rangée de connexions En céramique De Sidebrazed De 20 FilsNational Semiconductor
354494D20BBoîtier À double rangée de connexions En céramique De Sidebrazed De 20 Fils, Cavité DuelleNational Semiconductor
354495D20LC20URobinet Rapide Superbe De Redresseurs/Centre De Rétablissement, Cathode Commune (Type De Trois Bornes)Shindengen
354496D20LC40Robinet Rapide Superbe De Redresseurs/Centre De Rétablissement, Cathode Commune (Type De Trois Bornes)Shindengen
354497D20SC9MRobinet Des Redresseurs (SBD)/Centre De Schottky, Cathode Commune (Type De Trois Bornes)Shindengen
354498D20V0L1B2WSFaible capacité BIDIRECTIONNEL TVS DIODEDiodes
354499D20V0L1B2WS-7Faible capacité BIDIRECTIONNEL TVS DIODEDiodes



354500D20V0L1B2WSQFaible capacité BIDIRECTIONNEL TVS DIODEDiodes
354501D20V0L1B2WSQ-7Faible capacité BIDIRECTIONNEL TVS DIODEDiodes
354502D20XB20Ponts Tout usage Des Redresseurs/SIPShindengen
354503D20XB60Ponts Tout usage Des Redresseurs/SIPShindengen
354504D20XB80Ponts Tout usage Des Redresseurs/SIPShindengen
354505D2147HRAM de charge statique de bit de la grande vitesse 4096 x 1Intel
354506D22INFORMATIONS GÉNÉRALES de MICROMODULES de MÉMOIRE POUR L'CEmpaquetage De D1, De D2 ET De CST Microelectronics
354507D22Informations générales de micromodules de mémoire pour l'empaquetage de D1, de D2 et de CSGS Thomson Microelectronics
354508D22-MICROMODULESINFORMATIONS GÉNÉRALES de MICROMODULES de MÉMOIRE POUR L'CEmpaquetage De D1, De D2 ET De CSGS Thomson Microelectronics
354509D2201FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354510D2201UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354511D2202UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354512D2203FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354513D2203UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354514D2204UKL'OR A MÉTALLISÉ LE FET UNIVERSEL 20W - 12.5V DU SILICIUM DMOS RF -SIMPLE 900MHZ FINISemeLAB
354515D2205UKL'OR A MÉTALLISÉ LE FET UNIVERSEL 7.5W - 12.5V DU SILICIUM DMOS RF -SIMPLE DE 1GHZ FINISemeLAB
354516D2208UKL'OR A MÉTALLISÉ LE FET UNIVERSEL 40W - 12.5V DU SILICIUM DMOS RF -500MHZ PUSH-PULLSemeLAB
354517D2210UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354518D2211FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354519D2211UKFET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
354520D2212FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTALSemeLAB
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