| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 39641 | 2SA1263 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 39642 | 2SA1263 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 39643 | 2SA1264 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 39644 | 2SA1265 | Applications D'Amplificateur De Puissance | TOSHIBA |
| 39645 | 2SA1266 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 39646 | 2SA1266L | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 39647 | 2SA1270 | Transistors | Korea Electronics (KEC) |
| 39648 | 2SA1271 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 39649 | 2SA1271 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 39650 | 2SA1273 | PROCESSUS Planaire Épitaxial Du Transistor Type(PCT Du Silicium PNP) | Korea Electronics (KEC) |
| 39651 | 2SA1282 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 39652 | 2SA1282 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 39653 | 2SA1282A | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 39654 | 2SA1282A | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 39655 | 2SA1283 | SILICIUM PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
| 39656 | 2SA1283 | SILICIUM PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
| 39657 | 2SA1285 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 39658 | 2SA1285 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 39659 | 2SA1285A | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 39660 | 2SA1285A | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 39661 | 2SA1286 | PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
| 39662 | 2SA1286 | PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
| 39663 | 2SA1287 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
| 39664 | 2SA1287 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
| 39665 | 2SA1289 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/ä | SANYO |
| 39666 | 2SA1290 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/7a | SANYO |
| 39667 | 2SA1291 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/10a | SANYO |
| 39668 | 2SA1292 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/1ä | SANYO |
| 39669 | 2SA1293 | Applications Courantes Élevées De Commutation de TYPE du SILICIUM PNP PITAXIAL de TRANSISTOR (PROCESSUS de PCT) | TOSHIBA |
| 39670 | 2SA1294 | Silicium PNP Transistor(Audio planaire épitaxial et usage universel) | Sanken |
| 39671 | 2SA1295 | PUISSANCE TRANSISTORS(17a, 230v, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 39672 | 2SA1295 | Silicium PNP Transistor(Audio planaire épitaxial et général) | Sanken |
| 39673 | 2SA1296 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
| 39674 | 2SA1297 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
| 39675 | 2SA1298 | Applications de basse fréquence épitaxiales de commutation de puissance d'application d'amplificateur de puissance du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 39676 | 2SA1300 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
| 39677 | 2SA1301 | C.c PLANAIRE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU SILICIUM TRANSISTOR(audio DE PNP AU CONVERTISSEUR DE C.c) | Wing Shing Computer Components |
| 39678 | 2SA1302 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 200v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 39679 | 2SA1302 | C.c PLANAIRE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU SILICIUM TRANSISTOR(audio DE PNP AU CONVERTISSEUR DE C.c) | Wing Shing Computer Components |
| 39680 | 2SA1303 | Silicium PNP Transistor(Audio planaire épitaxial et usage universel) | Sanken |
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