| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568921 | IRF841 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568922 | IRF841 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 568923 | IRF841 | N-canal de TRANSISTORS | International Rectifier |
| 568924 | IRF841 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568925 | IRF841 | N-canal HEXFET 450V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568926 | IRF841F1 | N-canal HEXFET 450V, 4.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568927 | IRF842 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568928 | IRF842 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 568929 | IRF842 | N-canal de TRANSISTORS | International Rectifier |
| 568930 | IRF843 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568931 | IRF843 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 568932 | IRF843 | N-canal de TRANSISTORS | International Rectifier |
| 568933 | IRF8910 | 20V conjuguent transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568934 | IRF8915 | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568935 | IRF9130 | -100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 568936 | IRF9130 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canal | SemeLAB |
| 568937 | IRF9130 | Transistor MOSFET De Puissance Du 1À/-100V/0,30 Ohms/P-Canal | Intersil |
| 568938 | IRF9130 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De P-canal | Samsung Electronic |
| 568939 | IRF9130SMD | Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canal POUR DES APPLICATIONS de HI.rel | SemeLAB |
| 568940 | IRF9131 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De P-canal | Samsung Electronic |
| 568941 | IRF9131 | -10A Et -12A, -80V et -100V, 0,30 et 0,40 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568942 | IRF9132 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De P-canal | Samsung Electronic |
| 568943 | IRF9132 | -10A Et -12A, -80V et -100V, 0,30 et 0,40 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568944 | IRF9133 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De P-canal | Samsung Electronic |
| 568945 | IRF9133 | -10A Et -12A, -80V et -100V, 0,30 et 0,40 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568946 | IRF9140 | -100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 568947 | IRF9140 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canal | SemeLAB |
| 568948 | IRF9140 | Transistor MOSFET De Puissance De 19A/-100V/0,200 Ohms/P-Canal | Intersil |
| 568949 | IRF9140 | 100 V, P-MOSFET de puissance canal | Samsung Electronic |
| 568950 | IRF9141 | -19A Et -15A, -80V et -100V, 0,20 et 0,30 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568951 | IRF9141 | 60 V, P-MOSFET de puissance canal | Samsung Electronic |
| 568952 | IRF9142 | -19A Et -15A, -80V et -100V, 0,20 et 0,30 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568953 | IRF9142 | 100 V, P-MOSFET de puissance canal | Samsung Electronic |
| 568954 | IRF9143 | -19A Et -15A, -80V et -100V, 0,20 et 0,30 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568955 | IRF9143 | 60 V, P-MOSFET de puissance canal | Samsung Electronic |
| 568956 | IRF9150 | Transistor MOSFET De la Manche De P | Microsemi |
| 568957 | IRF9150 | Transistor MOSFET De Puissance De 2Ä/-100V/0,150 Ohms/P-Canal | Intersil |
| 568958 | IRF9151 | -25, -80V Et -100V, 0,150 Ohm, à canal P MOSFET de puissance | Intersil |
| 568959 | IRF9230 | -200V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 568960 | IRF9230 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canal | SemeLAB |
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