| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 593441 | JDP2S05SC | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 593442 | JDP2S08SC | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 593443 | JDP2S12CR | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 593444 | JDP3C02AU | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 593445 | JDP3C04TU | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 593446 | JDP4P02AT | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 593447 | JDP4P02U | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 593448 | JDS2S03S | Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 593449 | JDV2S01E | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 593450 | JDV2S01S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 593451 | JDV2S02E | Type planaire épitaxial de silicium de diode, VCO pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 593452 | JDV2S02S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 593453 | JDV2S05E | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 593454 | JDV2S05S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 593455 | JDV2S06S | Type planaire épitaxial de silicium de diode, VCO pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593456 | JDV2S07FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 593457 | JDV2S07S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593458 | JDV2S08S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593459 | JDV2S09FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 593460 | JDV2S09S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593461 | JDV2S10FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 593462 | JDV2S10S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593463 | JDV2S10T | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593464 | JDV2S13S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593465 | JDV2S14E | Type planaire épitaxial de silicium de diode utile pour VCO/tcxo | TOSHIBA |
| 593466 | JDV2S36E | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 593467 | JDV2S41FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 593468 | JDV3C11 | Applications d'accord électroniques de type planaire épitaxial de silicium de diode des récepteurs de FM | TOSHIBA |
| 593469 | JDV4P08U | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 593470 | JF1033B | Transistor, FETS ET DIODE de SMALL-SIGNAL | Motorola |
| 593471 | JF1033S | Transistor, FETS ET DIODE de SMALL-SIGNAL | Motorola |
| 593472 | JF1033X | Transistor, FETS ET DIODE de SMALL-SIGNAL | Motorola |
| 593473 | JF1033Y | Transistor, FETS ET DIODE de SMALL-SIGNAL | Motorola |
| 593474 | JFTJ105 | Commutateur De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 593475 | JG7905 | JG7905 | PerkinElmer Optoelectronics |
| 593476 | JGC-4F | RELAIS À SEMI-CONDUCTEURS | etc |
| 593477 | JGC-4F/05D0M | RELAIS À SEMI-CONDUCTEURS | etc |
| 593478 | JGC-4F/05D0T | RELAIS À SEMI-CONDUCTEURS | etc |
| 593479 | JGC-4F/05D1M | RELAIS À SEMI-CONDUCTEURS | etc |
| 593480 | JGC-4F/05D1T | RELAIS À SEMI-CONDUCTEURS | etc |
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