| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 59641 | 2SJ575 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 59642 | 2SJ575 | Commutation À grande vitesse de FET de MOS De la Manche Du Silicium P | Hitachi Semiconductor |
| 59643 | 2SJ575 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 59644 | 2SJ576 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 59645 | 2SJ576 | Commutation À grande vitesse de FET de MOS De la Manche Du Silicium P | Hitachi Semiconductor |
| 59646 | 2SJ576 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 59647 | 2SJ577 | Hauts Transistors MOSFET De Rendement | SANYO |
| 59648 | 2SJ578 | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59649 | 2SJ579 | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59650 | 2SJ580 | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59651 | 2SJ583 | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse | SANYO |
| 59652 | 2SJ583LS | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59653 | 2SJ584LS | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59654 | 2SJ585LS | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59655 | 2SJ586 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 59656 | 2SJ586 | Commutation À grande vitesse de FET de MOS De la Manche Du Silicium P | Hitachi Semiconductor |
| 59657 | 2SJ586 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 59658 | 2SJ587 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 59659 | 2SJ587 | Commutation À grande vitesse de FET de MOS De la Manche Du Silicium P | Hitachi Semiconductor |
| 59660 | 2SJ588 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 59661 | 2SJ588 | Commutation À grande vitesse de FET de MOS De la Manche Du Silicium P | Hitachi Semiconductor |
| 59662 | 2SJ589 | Applications De Convertisseur de C.C/C.C | SANYO |
| 59663 | 2SJ589LS | Applications De Convertisseur de C.c/C.c de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59664 | 2SJ590 | Applications De Convertisseur de C.C/C.C | SANYO |
| 59665 | 2SJ590LS | Applications De Convertisseur de C.c/C.c de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59666 | 2SJ591 | Applications De Convertisseur de C.C/C.C | SANYO |
| 59667 | 2SJ591LS | Applications De Convertisseur de C.c/C.c de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59668 | 2SJ594 | Applications De Convertisseur de C.c/C.c de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59669 | 2SJ595 | ?R???o?[?^?p DE C.c/C.c | SANYO |
| 59670 | 2SJ596 | Applications De Convertisseur de C.c/C.c de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59671 | 2SJ597 | Applications De Convertisseur de C.c/C.c de Transistor MOSFET De Silicium De P-Canal | SANYO |
| 59672 | 2SJ598 | ohm To-251, To-252 du transistor MOSFET 60V RDS(on)MAX.=130m de la puissance P-ch | NEC |
| 59673 | 2SJ598-Z | ohm To-251, To-252 du transistor MOSFET 60V RDS(on)MAX.=130m de la puissance P-ch | NEC |
| 59674 | 2SJ599 | Ohm Mp-3 du transistor MOSFET 60V RonMAX=75m de puissance de Pch | NEC |
| 59675 | 2SJ599-Z | Ohm Mp-3 du transistor MOSFET 60V RonMAX=75m de puissance de Pch | NEC |
| 59676 | 2SJ600 | Ohm MAX. Mp-3 du transistor MOSFET 60V RDS(on)1=50m de puissance de Pch | NEC |
| 59677 | 2SJ600-Z | Ohm MAX. Mp-3 du transistor MOSFET 60V RDS(on)1=50m de puissance de Pch | NEC |
| 59678 | 2SJ601 | Ohm du transistor MOSFET 60V RDS(on)1=31m de puissance de Pch MAX. To-251(mp-3)-251(mp-3), À -252(mp-3z) | NEC |
| 59679 | 2SJ601-Z | Ohm du transistor MOSFET 60V RDS(on)1=31m de puissance de Pch MAX. To-251(mp-3)-251(mp-3), À -252(mp-3z) | NEC |
| 59680 | 2SJ602 | Ohm To-220ab, to-262, to-263 du transistor MOSFET 60V RDS(on)MAX=73m de puissance de Pch | NEC |
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