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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
611681KM68512BLTI-7L64K x 8 bit CMOS RAM statique, 70ns, de faible puissance faibleSamsung Electronic
611682KM68U1000BRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611683KM68U1000BLRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611684KM68U1000BL/L-LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611685KM68U1000BLERAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611686KM68U1000BLE/LE-LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611687KM68U1000BLG-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611688KM68U1000BLG-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611689KM68U1000BLGE-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611690KM68U1000BLGE-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611691KM68U1000BLGI-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611692KM68U1000BLGI-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611693KM68U1000BLIRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611694KM68U1000BLI/LI-LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611695KM68U1000BLR-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611696KM68U1000BLR-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611697KM68U1000BLRE-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611698KM68U1000BLRE-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611699KM68U1000BLRI-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic



611700KM68U1000BLRI-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611701KM68U1000BLT-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611702KM68U1000BLT-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611703KM68U1000BLTE-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611704KM68U1000BLTE-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611705KM68U1000BLTI-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611706KM68U1000BLTI-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611707KM68V1000BRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611708KM68V1000BLRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611709KM68V1000BL/L-LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611710KM68V1000BLERAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611711KM68V1000BLE/LE-LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611712KM68V1000BLG-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611713KM68V1000BLG-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611714KM68V1000BLG-7RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611715KM68V1000BLG-7LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611716KM68V1000BLGE-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611717KM68V1000BLGE-10LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611718KM68V1000BLGE-7RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611719KM68V1000BLGE-7LRAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
611720KM68V1000BLGI-10RAM de basse puissance de 128K x de 8bit et de basse tension CMOS StatincSamsung Electronic
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