| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 616201 | KSQ30A06 | Diode De Barrière De Schottky | Nihon |
| 616202 | KSQ60A03LB | Basse Perte De Puissance De Basse Chute de tension Versl'avant, Rendement Élevé, Possibilités Élevées De Courant De Montée subite | Nihon |
| 616203 | KSQ60A06B | Semblable -247AC(TO-3P) Au Cas | Nihon |
| 616204 | KSQ60A06E | Semblable à -247(TO-3P) au cas | Nihon |
| 616205 | KSR1001 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616206 | KSR1001 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616207 | KSR1001TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616208 | KSR1002 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616209 | KSR1003 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616210 | KSR1003 | NPN (APPLICATIONS DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616211 | KSR1003TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616212 | KSR1004 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616213 | KSR1004 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616214 | KSR1004TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616215 | KSR1005 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616216 | KSR1005 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616217 | KSR1006 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616218 | KSR1007 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616219 | KSR1007 | APPLICATION DE COMMUTATION DE NPN) | Samsung Electronic |
| 616220 | KSR1008 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616221 | KSR1009 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616222 | KSR1009 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616223 | KSR1010 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616224 | KSR1010 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616225 | KSR1010TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616226 | KSR1011 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616227 | KSR1011 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616228 | KSR1012 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616229 | KSR1013 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616230 | KSR1013 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616231 | KSR1014 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616232 | KSR1101 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616233 | KSR1101 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616234 | KSR1102 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616235 | KSR1103 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616236 | KSR1103 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616237 | KSR1103MTF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616238 | KSR1104 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 616239 | KSR1104 | NPN (APPLICATION DE COMMUTATION) | Samsung Electronic |
| 616240 | KSR1104MTF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
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