| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 800041 | PTF080601E | Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 60 Avec 860-960 Mégahertz | Infineon |
| 800042 | PTF080601F | Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 60 Avec 860-960 Mégahertz | Infineon |
| 800043 | PTF080901 | Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 90 Avec 869-960 Mégahertz | Infineon |
| 800044 | PTF080901E | Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 90 Avec 869-960 Mégahertz | Infineon |
| 800045 | PTF080901F | Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 90 Avec 869-960 Mégahertz | Infineon |
| 800046 | PTF10007 | 35 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800047 | PTF10009 | 85 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800048 | PTF10015 | 50 Watts, Transistor à effet de champ De 300-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800049 | PTF10019 | 70 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800050 | PTF10020 | 125 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800051 | PTF10021 | 30 Watts, 1,4-1,6 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800052 | PTF10031 | 50 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800053 | PTF10036 | 85 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800054 | PTF10043 | 12 Watts, 1,9-2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800055 | PTF10045 | 30 Watts, 1,60-1,65 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800056 | PTF10048 | 30 Watts, 2,1-2,2 Gigahertz, Transistor à effet de champ De W-cdma GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800057 | PTF10052 | 35 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800058 | PTF10053 | 12 Watts, 2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800059 | PTF10065 | 30 Watts, 1,93-1,99 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800060 | PTF10100 | 165 Watts, Transistor à effet de champ De 860-900 Mégahertz LDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800061 | PTF10107 | 5 Watts, 2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800062 | PTF10111 | 6 Watts, 1,5 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800063 | PTF10112 | 60 Watts, 1,8-2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800064 | PTF10119 | 12 Watts, 2,1-2,2 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800065 | PTF10120 | 120 Watts, 1,8-2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800066 | PTF10122 | 50 Watts de WCDMA, 2,1-2,2 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800067 | PTF10125 | 135 Watts, 1,4-1,6 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800068 | PTF10133 | 85 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800069 | PTF10134 | 100 Watts, 2,1-2,2 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800070 | PTF10135 | 5 Watts, 2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800071 | PTF10136 | 6 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800072 | PTF10137 | 12 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800073 | PTF10138 | 60 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800074 | PTF10139 | 60 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800075 | PTF10149 | 70 Watts, Transistor à effet de champ De 921-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800076 | PTF10153 | 60 Watts, 1,8-2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800077 | PTF10154 | 85 Watts, 1,93-1,99 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800078 | PTF10160 | 85 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800079 | PTF10161 | 165 Watts, Transistor à effet de champ De 869-894 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 800080 | PTF10162 | 18 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
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