| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 801681 | MC26C31D | Conducteur De Ligne Du Quadruple Eia-422-a | Motorola |
| 801682 | MC26C31P | Conducteur De Ligne Du Quadruple Eia-422-a | Motorola |
| 801683 | MC26C32 | Récepteur De Ligne Du Quadruple Eia-422-a | Motorola |
| 801684 | MC26C32D | Récepteur De Ligne Du Quadruple Eia-422-a | Motorola |
| 801685 | MC26C32P | Récepteur De Ligne Du Quadruple Eia-422-a | Motorola |
| 801686 | MC26LS30 | Différentiel Duel Conducteurs De Ligne Assymétriques (D'EIA-422-A)/Quad (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801687 | MC26LS30-D | Conducteurs De Ligne Assymétriques Duels Du Différentiel (Eia-422-a)/Quadruple (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801688 | MC26LS30D | Différentiel Duel Conducteurs De Ligne Assymétriques (D'EIA-422-A)/Quad (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801689 | MC26LS30DR2 | Différentiel Duel Conducteurs De Ligne Assymétriques (D'EIA-422-A)/Quad (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801690 | MC26LS31 | Conducteur De Ligne De Quadruple | Motorola |
| 801691 | MC26LS31D | La ligne conducteur de quadruple avec le non-et a permis des sorties d'Trois-État | Motorola |
| 801692 | MC26LS31D | La ligne conducteur de quadruple avec le non-et a permis des sorties d'Trois-État | Motorola |
| 801693 | MC2800 | 0.3-7.0V; 600mW; 40MHz; processeur de mouvement navigateur. Pour servo brossé et brushless servo de commande de mouvement | Performance Motion Devices |
| 801694 | MC2830D | Commutateur Actionné Par Voix | Motorola |
| 801695 | MC2830P | Commutateur Actionné Par Voix | Motorola |
| 801696 | MC2831 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801697 | MC2831AD | 10V; 25mA; faible puissance système de transmetteur FM | Motorola |
| 801698 | MC2831AP | 10V; 25mA; faible puissance système de transmetteur FM | Motorola |
| 801699 | MC2832 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801700 | MC2833 | Bas Système D'Émetteur De la Puissance FM | Motorola |
| 801701 | MC2833 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801702 | MC2833D | Bas Système D'Émetteur De la Puissance FM | Motorola |
| 801703 | MC2833P | Bas Système D'Émetteur De la Puissance FM | Motorola |
| 801704 | MC2834 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801705 | MC2835 | Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801706 | MC2836 | Diodes Plastique-Encapsulées par SOT-23 | TRANSYS Electronics Limited |
| 801707 | MC2836 | Diodes Plastique-Encapsulées par SOT-23 | TRANSYS Electronics Limited |
| 801708 | MC2836 | Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801709 | MC2837 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 85 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801710 | MC2838 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801711 | MC2839 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 85 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801712 | MC2840 | Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801713 | MC2841 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DE COMMUTATION DE SILICIUM À GRANDE VITESSE D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 801714 | MC2841 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DE COMMUTATION DE SILICIUM À GRANDE VITESSE D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 801715 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801716 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801717 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801718 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801719 | MC2844 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801720 | MC2845 | Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
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