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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
821081MDE-32D182K1800V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821082MDE-32D201K200V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821083MDE-32D221K220V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821084MDE-32D241K240V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821085MDE-32D271K270V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821086MDE-32D301K300V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821087MDE-32D331K330V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821088MDE-32D361K360V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821089MDE-32D391K390V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821090MDE-32D431K430V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821091MDE-32D471K470V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821092MDE-32D511K510V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821093MDE-32D561K560V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821094MDE-32D621K620V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821095MDE-32D681K680V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821096MDE-32D751K750V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821097MDE-32D781K780V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821098MDE-32D821K820V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821099MDE-32D911K910V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor



821100MDE-32D951K950V; max courant de crête: 25000A; varistance à oxyde métallique. Série de haute énergie 32mm disque uniqueMDE Semiconductor
821101MDE-34S102K1000V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 13; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821102MDE-34S112K1100V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 13; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821103MDE-34S122K1200V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 14; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821104MDE-34S182K1800V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 14; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821105MDE-34S201K200V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 11; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821106MDE-34S221K220V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 11; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821107MDE-34S241K240V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 11; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821108MDE-34S271K270V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 11; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821109MDE-34S301K300V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821110MDE-34S331K330V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821111MDE-34S361K360V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821112MDE-34S391K390V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821113MDE-34S431K430V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821114MDE-34S471K470V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821115MDE-34S511K510V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821116MDE-34S561K560V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821117MDE-34S621K620V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 12; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821118MDE-34S681K680V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 13; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821119MDE-34S751K750V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 13; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
821120MDE-34S781K780V; max courant de crête: 40000A; Tmax = 13; varistance à oxyde métallique. Énergie série 34mm haute place uniqueMDE Semiconductor
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