| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 912841 | MTP10N40E | 10 Amp TO-220AB, N-Channel, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 912842 | MTP10N40E-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance D'Énergie Élevée D'E-FET de TMOS | ON Semiconductor |
| 912843 | MTP10N60E7 | TMOS 7 E-fet™ FET De Puissance D'Énergie Élevée | ON Semiconductor |
| 912844 | MTP10N60E7-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance De l'Énergie E-FET Élevée de TMOS 7 | ON Semiconductor |
| 912845 | MTP12N05E | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912846 | MTP12N06 | FET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,180 OHMS | Motorola |
| 912847 | MTP12N06EZL | FET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,180 OHMS | Motorola |
| 912848 | MTP12N06EZL | OBSOLETE - N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | ON Semiconductor |
| 912849 | MTP12N06EZL-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance D'Énergie Élevée D'E-FET de TMOS | ON Semiconductor |
| 912850 | MTP12N10E | FET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,16 OHMS | Motorola |
| 912851 | MTP12N10E | OBSOLETE - 12 Amp TO-220AB, N-Channel, VDSS 100 | ON Semiconductor |
| 912852 | MTP12N10E-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOS | ON Semiconductor |
| 912853 | MTP12N18 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal, 12A, 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 912854 | MTP12N20 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal, 12A, 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 912855 | MTP12P06 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912856 | MTP12P10 | FET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,3 OHMS | Motorola |
| 912857 | MTP12P10 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912858 | MTP12P10 | Transistor MOSFET De Puissance 12 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 912859 | MTP12P10-D | Transistor MOSFET De Puissance 12 Ampères, 100 Volts De P-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912860 | MTP1302 | FET de PUISSANCE de TMOS 42 AMPÈRES 30 VOLTS de RDS(on) = mohm 22 | Motorola |
| 912861 | MTP1302 | VIEILLI - MOSFET de puissance 42 ampères, 30 Volts | ON Semiconductor |
| 912862 | MTP1302-D | Transistor MOSFET De Puissance 42 Ampères, 30 Volts De N-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912863 | MTP1306 | FET de PUISSANCE de TMOS 75 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,0065 OHMS | Motorola |
| 912864 | MTP1306 | Transistor MOSFET De Puissance 75 Ampères, 30 Volts | ON Semiconductor |
| 912865 | MTP1306-D | Transistor MOSFET De Puissance 75 Ampères, 30 Volts De N-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912866 | MTP156K00691D | Condensateurs Humides Subminiature, Fils Axiaux De Tantale | Vishay |
| 912867 | MTP156M00691D | Condensateurs Humides Subminiature, Fils Axiaux De Tantale | Vishay |
| 912868 | MTP15N05EL | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912869 | MTP15N05L | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912870 | MTP15N06L | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912871 | MTP15N06V | FET de PUISSANCE de TMOS 15 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,12 OHMS | Motorola |
| 912872 | MTP15N06V | MOSFET de puissance 15 ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 912873 | MTP15N06V-D | Transistor MOSFET De Puissance 15 Ampères, 60 Volts De N-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912874 | MTP15N06VL | FET de PUISSANCE de TMOS 15 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,085 OHMS | Motorola |
| 912875 | MTP15N06VL | MOSFET de puissance 15 ampères, 60 volts, de niveau logique | ON Semiconductor |
| 912876 | MTP15N06VL-D | Transistor MOSFET De Puissance 15 Ampères, 60 Volts, N-Canal De niveau To-220 De Logique | ON Semiconductor |
| 912877 | MTP15N15 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE | Motorola |
| 912878 | MTP16N25E | FET de PUISSANCE de TMOS 16 AMPÈRES 250 VOLTS De RDS(on) = 0,25 OHMS | Motorola |
| 912879 | MTP16N25E | OBSOLETE - 16 Amp TO-220AB, N-Channel, VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 912880 | MTP16N25E-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOS | ON Semiconductor |
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