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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
928801NE68818-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928802NE68818-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928803NE68819MODÈLE NON-linéaireNEC
928804NE68819MODÈLE NON-linéaireNEC
928805NE68819-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928806NE68819-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928807NE68830Transistor NPN de silicium.NEC
928808NE68830-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928809NE68830-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928810NE68833Transistor NPN de silicium.NEC
928811NE68833-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928812NE68833-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928813NE68839Transistor NPN de silicium.NEC
928814NE68839-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928815NE68839-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928816NE68839RTransistor NPN de silicium.NEC
928817NE68839R-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC
928818NE68839R-T1TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPNNEC



928819NE688M03TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPNNEC
928820NE688M13TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPNNEC
928821NE688M13TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPNNEC
928822NE688M23Transistor NPN de silicium.NEC
928823NE68939TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
928824NE68939-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
928825NE69039TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
928826NE69039TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
928827NE69039-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
928828NE69039-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
928829NE696M01TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNCalifornia Eastern Laboratories
928830NE696M01TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNCalifornia Eastern Laboratories
928831NE696M01-T1Silicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
928832NE698M01-T1NPN épitaxiale transistor de silicium pour micro-ondes à gain élevé amplification.NEC
928833NE699M01-T1NPN épitaxiale transistor de silicium pour micro-ondes à gain élevé amplification.NEC
928834NE7000080 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
928835NE7008380 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
928836NE70083-480 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
928837NE7100090 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
928838NE7108390 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
928839NE71083-0690 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
928840NE71083-0790 GHz, à faible bruit Ku-K GaAs MESFET bandeNEC
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