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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2N5630 construit près: |
Dispositif Bipolaire de NPN D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: SF_2N5630, |
Téléchargement 2N5630 datasheet de SemeLAB |
pdf 16 kb |
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Tension collecteur-émetteur / base: 120Vdc; 16A; haute tension, le transistor à haute puissance. Pour les applications haute puissance de l'amplificateur audio et des circuits de régulateur de commutation haute tension D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N5631, 2N6030, 2N6031, |
Téléchargement 2N5630 datasheet de Motorola |
pdf 259 kb |
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TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N5629, 2N6029, |
Téléchargement 2N5630 datasheet de Central Semiconductor |
pdf 72 kb |
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Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 120V, 200W. | Téléchargement 2N5630 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 198 kb |
2N5629 | Vue 2N5630 à notre catalogue | 2N5631 |