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2SC2652 construit près: |
V (CBO): 85V; V (CES): 85V; V (CEO): 55V; V (EBO): 4V; 20A; 300W; NPN transistor de silicium épitaxiale planaire. Pour 2-30 MHz SSB amplificateurs de puissance de la linéarité des applications | Téléchargement 2SC2652 datasheet de TOSHIBA |
pdf 162 kb |
2SC2647 | Vue 2SC2652 à notre catalogue | 2SC2653 |