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Conception IGBTMOD¢â Duel De Porte De Fossé 350 Volts Amperes/250 | Téléchargement CM350DU-5F datasheet de Powerex Power Semiconductors |
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TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Téléchargement CM350DU-5F datasheet de Mitsubishi Electric Corporation |
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Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Téléchargement CM350DU-5F datasheet de Mitsubishi Electric Corporation |
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CM3508 | Vue CM350DU-5F à notre catalogue | CM3511 |