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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
CSB612 construit près: |
2.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 2-20000 hFE. | Téléchargement CSB612 datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 93 kb |
CSB546Y | Vue CSB612 à notre catalogue | CSB621 |