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GES5816 construit près: |
Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: GES5819, GES5818, GES5817, GES5814, GES5815, |
Téléchargement GES5816 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 218 kb |
GES5815-J1 | Vue GES5816 à notre catalogue | GES5816-J1 |