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K4E641612B-L construit près: |
RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E661612B-TC, K4E661612B-L, K4E641612B-TC, |
Téléchargement K4E641612B-L datasheet de Samsung Electronic |
pdf 887 kb |
K4E641612B | Vue K4E641612B-L à notre catalogue | K4E641612B-TC |