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| K4E641612B-TL45 construit près: | 
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 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E641612B-TL60, K4E641612B-TL50, K4E661612B-TC45, K4E661612B-TC50, K4E641612B-TC60, |
Téléchargement K4E641612B-TL45 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 888 kb |
| K4E641612B-TC60 | Vue K4E641612B-TL45 à notre catalogue | K4E641612B-TL50 |