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| K4F660812D-TC_L construit près: | 
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 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F660812D-JC_L, K4F640812D-JC_L, K4F640812D-TC_L, |
Téléchargement K4F660812D-TC_L datasheet de Samsung Electronic |
pdf 373 kb |
| K4F660812D-JC_L | Vue K4F660812D-TC_L à notre catalogue | K4F660812E, K4F640812E |