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MGFK38V2732 construit près: |
12,7-13,2 FET Intérieurement Assorti de la BANDE 6W GaAs De Gigahertz | Téléchargement MGFK38V2732 datasheet de Mitsubishi Electric Corporation |
pdf 55 kb |
MGFK38V2228 | Vue MGFK38V2732 à notre catalogue | MGFK39V4045 |