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| MJB18004D2T4-D construit près: | 
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 | Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et réseau efficace intégré D2PAK d'Antisaturation pour les TRANSISTORS de PUISSANCE extérieurs de bâti 5 AMPÈRES 1000 VOL | Téléchargement MJB18004D2T4-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 229 kb |
| MJ901 | Vue MJB18004D2T4-D à notre catalogue | MJB32B |