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MTD10N10EL-D construit près: |
Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | Téléchargement MTD10N10EL-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 258 kb |
MTD10N10EL | Vue MTD10N10EL-D à notre catalogue | MTD10N10ELT4 |