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MTV10N100E-D construit près: |
Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS D3PAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | Téléchargement MTV10N100E-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 275 kb |
MTV10N100E | Vue MTV10N100E-D à notre catalogue | MTV112AN |