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MTV16N50E-D construit près: |
Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS D3PAK pour le perfectionnement extérieur de N-Canal de bâti - porte de silicium de mode | Téléchargement MTV16N50E-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 282 kb |
MTV16N50E | Vue MTV16N50E-D à notre catalogue | MTV20N50E |