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NTE5855 construit près: |
puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 200V. Moyenne 6A courant direct. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: NTE5858, NTE5860, NTE5861, NTE5862, NTE5863, |
Téléchargement NTE5855 datasheet de NTE Electronics |
pdf 28 kb |
NTE5854 | Vue NTE5855 à notre catalogue | NTE5856 |