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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
NTE5874 construit près: |
puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 200V. Moyenne 12A courant direct. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: NTE5886, NTE5873, NTE5878, NTE5879, NTE5880, |
Téléchargement NTE5874 datasheet de NTE Electronics |
pdf 28 kb |
NTE5873 | Vue NTE5874 à notre catalogue | NTE5875 |