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NTLJF1103P construit près: |
MOSFET de puissance et V de diode Schottky, -4,3 A, µCool ¿P-Canal, avec 2,0 A Barrière de Schottky Diode, 2 x 2 mm, PNWD | Téléchargement NTLJF1103P datasheet de ON Semiconductor |
PDF 73 kb |
NTLJD4150P | Vue NTLJF1103P à notre catalogue | NTLJF3117P |