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PDTD123YT construit près:

NPN 500 mA, transistors résistance équipé de 50 V; R1 = 2,2 kOhm, R2 = 10 kOhm

Téléchargement PDTD123YT datasheet de NXP Semiconductors

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PDTD123TT

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PDTD123YU

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