| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1004201 | PMBD7000 | Doble diodo de conmutación de alta velocidad | NXP Semiconductors |
| 1004202 | PMBD7100 | Diodo doble de la alta velocidad | Philips |
| 1004203 | PMBD7100 | De alta velocidad de doble diodo | NXP Semiconductors |
| 1004204 | PMBD914 | Diodo alto de la velocidad | Philips |
| 1004205 | PMBD914 | Solo diodo de conmutación de alta velocidad | NXP Semiconductors |
| 1004206 | PMBF107 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 1004207 | PMBF170 | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
| 1004208 | PMBF4391 | FETs Del N-canal | Philips |
| 1004209 | PMBF4391 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004210 | PMBF4392 | FETs Del N-canal | Philips |
| 1004211 | PMBF4392 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004212 | PMBF4393 | FETs Del N-canal | Philips |
| 1004213 | PMBF4393 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004214 | PMBF4416 | transistor del efecto de campo del N-canal | Philips |
| 1004215 | PMBF4416A | transistor del efecto de campo del N-canal | Philips |
| 1004216 | PMBF5484 | transistores del efecto de campo del N-canal | Philips |
| 1004217 | PMBF5485 | transistores del efecto de campo del N-canal | Philips |
| 1004218 | PMBF5486 | transistores del efecto de campo del N-canal | Philips |
| 1004219 | PMBFJ108 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
| 1004220 | PMBFJ108 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004221 | PMBFJ109 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
| 1004222 | PMBFJ109 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004223 | PMBFJ110 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
| 1004224 | PMBFJ110 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004225 | PMBFJ111 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
| 1004226 | PMBFJ111 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004227 | PMBFJ112 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
| 1004228 | PMBFJ112 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004229 | PMBFJ113 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
| 1004230 | PMBFJ113 | FET de canal N | NXP Semiconductors |
| 1004231 | PMBFJ174 | transistores del efecto de campo del silicio del P-canal | Philips |
| 1004232 | PMBFJ174 | FET de canal P | NXP Semiconductors |
| 1004233 | PMBFJ175 | transistores del efecto de campo del silicio del P-canal | Philips |
| 1004234 | PMBFJ175 | FET de canal P | NXP Semiconductors |
| 1004235 | PMBFJ176 | transistores del efecto de campo del silicio del P-canal | Philips |
| 1004236 | PMBFJ176 | FET de canal P | NXP Semiconductors |
| 1004237 | PMBFJ177 | transistores del efecto de campo del silicio del P-canal | Philips |
| 1004238 | PMBFJ177 | FET de canal P | NXP Semiconductors |
| 1004239 | PMBFJ210 | transistores del efecto de campo del N-canal | Philips |
| 1004240 | PMBFJ211 | transistores del efecto de campo del N-canal | Philips |
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