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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
250001BC32840BUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250002BC32840TATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250003BC328APropósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250004BC328BUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250005BC328TATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250006BC328TARTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250007BC328TFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250008BC328TFRTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
250009BC337Transistor de los fines generales de NPNPhilips
250010BC337Usos de la conmutación y del amplificadorFairchild Semiconductor
250011BC337Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
250012BC337Transistores Pequeños De la Señal (NPN)Vishay
250013BC337Transistores Pequeños De la Señal (NPN)General Semiconductor
250014BC337Transistor del Af Del Silicio de NPNInfineon
250015BC337Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
250016BC337Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPNHoney Technology
250017BC337TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
250018BC337Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual)Siemens
250019BC337Transistor Del AmplificadorMotorola



250020BC337Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250021BC337PlanarTransistors Silicio-Si-EpitaxialDiotec Elektronische
250022BC337Transistor planar epitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificadorSemtech
250023BC337Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-630 hFEContinental Device India Limited
250024BC337Transistor. Conmutación y aplicaciones ampplifier. Adecuado para stagees AF-conductor y etapas de potencia de salida. Colector-base VCBO = 50V. Colector-emisor VCEO = 45V. Emisor-base Vebo = 5V. Colector disipación Pc = 625MW. Curren ColUSHA India LTD
250025BC337-016Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250026BC337-025Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250027BC337-040Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250028BC337-16Transistor de los fines generales de NPNPhilips
250029BC337-16Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
250030BC337-16Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual)Siemens
250031BC337-16Transistor Del AmplificadorMotorola
250032BC337-16Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250033BC337-16Transistores, & del Rf; AfVishay
250034BC337-16PlanarTransistors Silicio-Si-EpitaxialDiotec Elektronische
250035BC337-16Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
250036BC337-16Pequeña señal del transistor (NPN)General Semiconductor
250037BC337-16RL1Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250038BC337-16ZL1Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250039BC337-25Transistor de los fines generales de NPNPhilips
250040BC337-25Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
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