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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
249841BC308BUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249842BC308CAmplificador Transistors(PNP)Motorola
249843BC308CTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249844BC308CSilicio De Transistors(PNP Del Amplificador)ON Semiconductor
249845BC308CBUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249846BC308TATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249847BC308TARTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249848BC309Usos de la conmutación y del amplificadorFairchild Semiconductor
249849BC309Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
249850BC309Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249851BC309TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249852BC309Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1USHA India LTD
249853BC309ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249854BC309ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249855BC309APropósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249856BC309ABUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249857BC309ATATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249858BC309BAmplificador Transistors(PNP)Motorola
249859BC309BPropósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited



249860BC309BBUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249861BC309BTATransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249862BC309CTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249863BC309CTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPFairchild Semiconductor
249864BC309CPropósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFEContinental Device India Limited
249865BC309CBUTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
249866BC313Mocy krzemowy del ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del ma³ejUltra CEMI
249867BC313Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249868BC317TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249869BC317Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-450 hFEContinental Device India Limited
249870BC317APropósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-220 hFEContinental Device India Limited
249871BC317BPropósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.150A Ic, 200-450 hFEContinental Device India Limited
249872BC318TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249873BC319TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249874BC320TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249875BC3200Rectificadores Del Silicio-PuenteDiotec Elektronische
249876BC321TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249877BC322TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249878BC327Transistor de los fines generales de PNPPhilips
249879BC327Usos de la conmutación y del amplificadorFairchild Semiconductor
249880BC327Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
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