| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1026081 | PTB78560A | 30-W, 24-V/48-V entrada Convertidor DC / DC con la secuenciación Auto-Track | Texas Instruments |
| 1026082 | PTB78560B | 30-W, 24-V/48-V entrada Convertidor DC / DC con la secuenciación Auto-Track | Texas Instruments |
| 1026083 | PTB78560C | 30-W, 24-V/48-V entrada Convertidor DC / DC con la secuenciación Auto-Track | Texas Instruments |
| 1026084 | PTC4001T | Transistor de energía de la microonda de NPN | Philips |
| 1026085 | PTD08A020W | 20A, 4.75V a 14V, no aislado, Módulo PowerTrain digital | Texas Instruments |
| 1026086 | PTD08A210W | Individual 10-A de salida, 4.75V a 14V de entrada, no aislado, Módulo PowerTrain digital | Texas Instruments |
| 1026087 | PTEA404120 | 50-W, 48 V de entrada, 12-V de salida, Aislados Convertidor DC / DC | Texas Instruments |
| 1026088 | PTF | Industrial, Very Low Noise and Voltage Coefficient, Small Package, 100% Laser Spiraled, Very Good High Frequency Characteristics, Acceptance Testing Available, Can Replace Wirewound Bobbins, Superior Moisture Protection | Vishay |
| 1026089 | PTF080101 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA DE LDMOS RF 10CW/860-960mhz | Infineon |
| 1026090 | PTF080101S | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA DE LDMOS RF 10CW/860-960mhz | Infineon |
| 1026091 | PTF080451 | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 45 Con 869-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026092 | PTF080451E | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 45 Con 869-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026093 | PTF080601 | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 60 Con 860-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026094 | PTF080601A | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 60 Con 860-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026095 | PTF080601E | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 60 Con 860-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026096 | PTF080601F | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 60 Con 860-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026097 | PTF080901 | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 90 Con 869-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026098 | PTF080901E | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 90 Con 869-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026099 | PTF080901F | Transistor De Efecto De Campo De la Energía de LDMOS Rf 90 Con 869-960 Megaciclo | Infineon |
| 1026100 | PTF10007 | 35 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026101 | PTF10009 | 85 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026102 | PTF10015 | 50 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 300-960 Megaciclo GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026103 | PTF10019 | 70 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-960 Megaciclo GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026104 | PTF10020 | 125 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-960 Megaciclo GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026105 | PTF10021 | 30 Vatios, 1,4-1,6 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026106 | PTF10031 | 50 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026107 | PTF10036 | 85 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-960 Megaciclo GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026108 | PTF10043 | 12 Vatios, 1,9-2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026109 | PTF10045 | 30 Vatios, 1,60-1,65 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026110 | PTF10048 | 30 Vatios, 2,1-2,2 Gigahertz, Transistor De Efecto De Campo De W-cdma GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026111 | PTF10052 | 35 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026112 | PTF10053 | 12 Vatios, 2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026113 | PTF10065 | 30 Vatios, 1,93-1,99 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026114 | PTF10100 | 165 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-900 Megaciclo LDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026115 | PTF10107 | 5 Vatios, 2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026116 | PTF10111 | 6 Vatios, 1,5 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026117 | PTF10112 | 60 Vatios, 1,8-2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026118 | PTF10119 | 12 Vatios, 2,1-2,2 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026119 | PTF10120 | 120 Vatios, 1,8-2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| 1026120 | PTF10122 | 50 Vatios de WCDMA, 2,1-2,2 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| | | |
