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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1052721RFL1N121A/mOSFETs de la energía de 120V y de 150V/1,9 ohmios/N-CanalIntersil
1052722RFL1N12L1A/mOSFETs del nivel de 120V y de 150V/1,900 ohmios/lógica/de la energía del N-CanalIntersil
1052723RFL1N151A/mOSFETs de la energía de 120V y de 150V/1,9 ohmios/N-CanalIntersil
1052724RFL1N15L1A/mOSFETs del nivel de 120V y de 150V/1,900 ohmios/lógica/de la energía del N-CanalIntersil
1052725RFL1N181A/mOSFETs de la energía de 180V y de 200V/3,65 ohmios/N-CanalIntersil
1052726RFL1N201A/mOSFETs de la energía de 180V y de 200V/3,65 ohmios/N-CanalIntersil
1052727RFL1P081A/mOSFETs de la energía de -80V y de -100V/3,65 ohmios/P-CanalIntersil
1052728RFL1P101A/mOSFETs de la energía de -80V y de -100V/3,65 ohmios/P-CanalIntersil
1052729RFL2N05À/mOSFETs de la energía de 50V y de 60V/0,95 ohmios/N-CanalIntersil
1052730RFL2N06À/mOSFETs de la energía de 50V y de 60V/0,95 ohmios/N-CanalIntersil
1052731RFL2N06LMosfet Del Nivel De À/60V/0,950 Ohmios/Lógica/De la Energía Del N-CanalIntersil
1052732RFL4N12Â/mOSFETs de la energía de 120V y de 150V/0,400 ohmios/N-CanalIntersil
1052733RFL4N15Â/mOSFETs de la energía de 120V y de 150V/0,400 ohmios/N-CanalIntersil
1052734RFM00U7UMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
1052735RFM01U7PMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
1052736RFM03U3CTMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
1052737RFM04U6PMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
1052738RFM07U7XMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
1052739RFM08U9XMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA



1052740RFM10N45mOSFETs de la energía de 10A/de 450V y de 500V/0,600 ohmios/N-CanalIntersil
1052741RFM10N50mOSFETs de la energía de 10A/de 450V y de 500V/0,600 ohmios/N-CanalIntersil
1052742RFM12N081À/mOSFETs de la energía de 80V y de 100V/0,200 ohmios/N-CanalIntersil
1052743RFM12N101À/mOSFETs de la energía de 80V y de 100V/0,200 ohmios/N-CanalIntersil
1052744RFM12N181À/mOSFETs de la energía de 180V y de 200V/0,250 ohmios/N-CanalIntersil
1052745RFM12N201À/mOSFETs de la energía de 180V y de 200V/0,250 ohmios/N-CanalIntersil
1052746RFM12N351À/mOSFETs de la energía de 350V y de 400V/0,500 ohmios/N-CanalIntersil
1052747RFM12N401À/mOSFETs de la energía de 350V y de 400V/0,500 ohmios/N-CanalIntersil
1052748RFM12P08Realce-modo Del P-canalGeneral Semiconductor
1052749RFM12U7XMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
1052750RFM18N08mOSFETs de la energía de 1Å/de 80V y de 100V/0,100 ohmios/N-CanalIntersil
1052751RFM18N10mOSFETs de la energía de 1Å/de 80V y de 100V/0,100 ohmios/N-CanalIntersil
1052752RFM3N45Á/mOSFETs de la energía de 450V y de 500V/3 ohmios/N-CanalIntersil
1052753RFM3N50Á/mOSFETs de la energía de 450V y de 500V/3 ohmios/N-CanalIntersil
1052754RFM4N35Â/mOSFETs de la energía de 350V y de 400V/2,000 ohmios/N-CanalIntersil
1052755RFM4N40Â/mOSFETs de la energía de 350V y de 400V/2,000 ohmios/N-CanalIntersil
1052756RFM6N45mOSFETs de la energía de Ã/de 450V y de 500V/1,250 ohmios/N-CanalIntersil
1052757RFM7N35mOSFETs de la energía de 7A/de 350V y de 400V/0,75 ohmios/N-CanalIntersil
1052758RFM7N40mOSFETs de la energía de 7A/de 350V y de 400V/0,75 ohmios/N-CanalIntersil
1052759RFP10N15MOSFETs De la Energía De 10A/De 150V/0,300 Ohmios/N-CanalIntersil
1052760RFP10P03L10A, 30V, 0,200 Ohmios, Nivel De la Lógica, Mosfet De la Energía Del P-CanalFairchild Semiconductor
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